基础电子产业：集中力量重点突破

作者：   来源：   时间：2007-03-14 14:50:00.0

          基础电子产品是核心基础产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的最前端。基础电子产品的发展对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。目前，我国基础电子产业实力不强，结构性矛盾突出，自主创新能力不足，制约了我国电子信息产业整体实力的提升。进一步做大做强基础电子产业是“十一五”期间全行业实现健康发展的根本保证。为此，必须在继续巩固我国在传统元器件、部分电子材料和电子专用设备仪器领域优势的同时，坚持跟踪与突破相结合、引进与创新相结合，有所为，有所不为，集中力量，重点突破量大面广的新型元器件、新型显示器件、关键电子材料和重大技术装备，着力培育一批拥有自主知识产权和国际竞争力的优势企业。 
　　优先发展TFT-LCD和PDP 
　　面向数字化、高清晰化、平板化需求，优先发展TFT-LCD和PDP，促进产业链垂直整合与企业横向联合，扩大产业规模，培育自主创新能力；重点支持OLED、SED等新一代平板显示器件的工艺和生产技术开发，力争实现产业化；加快传统彩管产业战略转移，积极发展高清晰度、短管颈等高端彩管产品。 
　　支持建设第六代以上TFT-LCD面板生产线，加快国内关键配套件   
的开发与产业化进程，力争在TFT-LCD用彩色滤光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生产设备以及材料上取得突破；重点发展42英寸以上PDP显示屏、驱动电路及模块，掌握规模量产技术；积极组织OLED/PLED、SED器件和模块的基础技术研发；积极发展小尺寸手机主/副屏、PDA和MP3所用Oled显示屏。重点发展数字高清晰度彩管及相关配套件、特种示波管。 
　　元器件产业要突破关键技术 
　　以片式化、微型化、集成化、高性能化、无害化为目标，突破关键技术，调整产品结构，促进产业链上下游互动发展，着力培育优势骨干企业，推动产业结构升级。重点发展以下产品： 
　　(1)片式元器件。重点发展超小型片式多层陶瓷电容器，片式铝电解电容器，片式钽电容器，片式电感器，片式二、三极管，片式压电陶瓷频率器件，片式压电石英晶体器件，集成无源元件等片式元器件。大力发展微波介质器件、声表面波(SAW)器件、高频压电陶瓷器件、石英晶体器件、抗电磁干扰(EMT/EMP)滤波器等产品，满足我国通信和视听产品的研发和生产需求。 
　　(2)印刷电路板。研发高密度互连多层印刷电路板(HDI)、多层挠性板(FPC)和刚挠印刷电路板(R-FPC)、IC封装载板、特种印刷电路板(背板、高频微波板、金属基板和厚铜箔板、埋置元件板、光电印制板和纳米材料的印刷电路板)等产品。 
　　(3)混合集成电路。提高引进吸收再创新能力，重点突破通信、汽车、医疗等用途的混合集成电路，逐步替代进口，尽快实现产业起步。 
　　(4)传感器及敏感元器件。重点发展高精度和高可靠性汽车传感器，环境安全检测传感器，新型电压敏、热敏、气敏等敏感元器件，光纤传感器，MEMS传感器等。 
　　(5)绿色电池。继续支持发展大容量、高可靠性锂离子电池和聚合物锂离子电池；重点开发再生能源体系用低成本高效率太阳能电池(含薄膜太阳能电池)；积极开发镍氢动力电池与锂离子动力电池。 
　　(6)新型电力电子器件。重点发展纵向双扩散型场效应管VDMOS，绝缘栅双极型晶体管IGBT，静电感应晶体管系列SIT、BSIT、SITH，栅控晶闸管MCT，巨型双极晶体管GTR等半导体电力电子器件。 
　　(7)新型机电组件。重点研发无刷智能微特电机；小型化、高密度、高频化、抗干扰多功能新型接插件等产品。 
　　(8)光通信器件。重点发展高速光收/发模块、光电耦合器、光有源器件、光电交换器件以及光无源器件和MEMS光开关等器件。 
　　(9)高亮度发光二极管。重点研发四元系高亮度红、橙、黄发光二极管，蓝色、绿色、紫色、近紫外GaN、SiC发光二极管，构建较为完整的LED产业链。 
　　产用结合发展电子材料产业 
　　加强国际合作，推动产用结合，突破部分关键技术，缩小电子材料与国外先进水平的差距。重点发展技术含量高、市场前景好的电子信息材料，提高国内自主配套能力。注重环保型电子材料的开发。 
　　(1)半导体材料。大力发展半导体级和太阳能级多晶硅材料；实现8-12英寸硅单晶及外延片的产业化；积极发展6英寸及以上SiGe、4～6英寸GaAs和InP等化合物半导体材料。重点支持面向国内6英寸及以上集成电路生产线所用的248nm及以下光刻胶、引线框架、金丝、超净高纯试剂以及8英寸及以上溅射靶材等材料。 
　　(2)新型显示器件材料。积极发展TFT-lcd液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色滤光片、偏光板和背光模组等TFT-LCD材料；重点发展荧光粉、电极材料、介质材料、障壁材料等PDP关键材料；主要发展有机发光材料、隔离柱材料、Cr/ITO基板玻璃等OLED材料。 
　　(3)光电子材料。以高亮度发光材料为突破口，着重发展GaN、SiC等晶体及外延材料等。重点发展高功率激光晶体等材料。
　　(4)磁性材料。重点发展粘结NdFeB永磁材料、纳米复合永磁材料、低温共烧材料和纳米软磁材料、巨磁致伸缩材料、磁致冷材料、电磁屏蔽材料、磁记录材料、高档永磁软磁铁氧体材料等市场前景好的材料。
　　(5)电子功能陶瓷材料。重点研发和生产高性能高可靠片式电容器陶瓷材料、低温共烧陶瓷(LTCC)材料及封装陶瓷材料等。积极开展无铅、无镉等瓷料研究和生产，并开展纳米基瓷料研究和生产。
　　(6)电子封装材料。重点发展先进封装模塑料(EMC)、先进的封装复合材料、高精度引线框架材料、高性能聚合物封装材料、高密度多层基板材料等材料。
　　电子专用设备要加大国际合作
　　加大国际合作，加强共性基础技术研究，突破部分关键技术，缩小电子专用设备和仪器、工模具与国外先进水平的差距。以数字电视和新一代移动通信等产业发展为契机，推动产品工艺与设备仪器开发相结合，促进产用结合。加强政策引导，加大政府投入，大力发展集成电路、平板显示器件等重大技术装备，鼓励开发量大面广的新型元器 
件生产设备、表面贴装和支持无铅工艺整机装联设备，加大高性能测试仪器的研发力度。
　　(1)半导体和集成电路专用设备。重点发展8-12英寸集成电路关键生产设备，包括光刻设备、刻蚀设备、CMP设备、薄膜生长设备、掺杂设备等芯片制造设备，键合设备、划片机等封装设备和专用模具以及材料制备设备。积极跟踪化合物半导体技术，加快化合物半导体(GaAs、InP、GaN、SiC)制造设备的研发和产业化。
　　(2)新型显示器件专用设备。从TFT-LCD后工序设备入手，重点在TFT-LCD移载设备、清洗设备、摩擦线设备、COG设备和TFT薄膜沉积设备等方面形成配套能力；积极开展6代面板生产线阵列等前道工艺设备的研究开发，重点提高湿/干法刻蚀机、液晶灌注机等研制水平。加强高亮度LED关键制造设备、PDP关键设备和OLED生产设备和测试仪器的开发生产。
　　(3)整机装联和新型电子元器件专用设备。重点突破全自动精密贴片机、大尺寸全自动精密印刷机、全自动插装机、自动光学检测设备(AOI)以及适应无铅工艺的贴装设备(如无铅焊机等)等关键设备的研制。
　　(4)电子测量仪器。重点发展高速数模混合信号集成电路测试系统、边界扫描测试系统、SoC测试系统和新型显示器件参数测量仪器、新型电子元器件参数测试仪器、印制电路板各类测试仪器、大功率器件测试仪器、片式元器件生产线在线测试仪器系列等。重点开发综合测试仪、网络系统测试设备、路测仪等新一代移动通信测量仪器和测试系统以及光通信测试仪器。以音视频产品由模拟向数字技术过渡为契机，重点发展数字电视研究开发、生产用的调试测试设备仪器。积极发展高性能通用测试仪器。